氧化鋅廠通過熱處理來增強氧化鋅中的氮摻雜的研究工作已經展開。使用光致電子順磁共振技術（EPR），并在空氣或者氮氣氛下在600-900溫度范圍內退火，在使用該方法制備的氮摻雜氧化鋅晶體中，觀察到了氮受主的形成。這一結果的原因是N在熱退火過程中替代為淺的施主雜質。
固源化學氣相淀積法（SS-CVD）也可以用來氧化鋅的N摻雜。二水醋酸鋅（Zn（CH3COO）2·2H2O, solid）和（CH3COONH4, solid）分別作為固體源和N源。實驗結果的樣品顯示出P型導電性，空穴濃度為9.8×1017 cm?3，電阻率20Ωcm，空穴遷移率0.97cm2 /V s。
盡管上面報道說已經成功的獲得了N摻雜的氧化鋅薄膜，但也有相當多的報道，作者沒有能夠重復這些結果，即使采用相同的生長方式，相同的生長條件和相同的N源。因此，即使認為該報告的結果表明是真正的p型氧化鋅，重現(xiàn)這些結果仍是一個大問題，而且這個問題必須得在氧化鋅應用于光電子學，如同質結LED和激光二極管（LDs）之前解決。最后，這個問題至少等到高效率注入的ZnO的p - n結才能解決。
